Emission 验证

功率耗散坐标与顶发射

Dreapex TMM 与 Setfos 发光仿真：功率耗散坐标与顶发射。

2.9 Power Dissipation 坐标与顶发射结构

在 Dreapex TMM 的 Power Dissipation 配置中，“面内矢量类型”分别选择“面内 u”“有效折射率 (nEff)”和“面内 k”，与参考数据使用相同的坐标及扫描范围。底发射器件覆盖三种坐标，顶发射器件覆盖 u；每组均比较耗散、上端辐射和下端辐射的 total、s、p。

配置／分量	total / ppm	s / ppm	p / ppm
底发射／u／耗散	0.605140	0.597132	0.610644
底发射／u／上端	0.610716	0.598894	0.602840
底发射／u／下端	0.604945	0.586797	0.592930
顶发射／u／耗散	0.594144	0.593635	0.597773
顶发射／u／上端	0.568628	0.594943	0.587270
顶发射／u／下端	0.588833	0.595175	0.609221
底发射／n_eff／耗散	0.114682	0.114682	0.114682
底发射／n_eff／上端	0.114682	0.114682	0.114682
底发射／n_eff／下端	0.114682	0.114682	0.114682
底发射／k∥／耗散	0.114682	0.114682	0.114682
底发射／k∥／上端	0.114682	0.114682	0.114682
底发射／k∥／下端	0.114682	0.114682	0.114682

典型条件数值对照。λ = 620 nm；顶发射取 u = 0.80，底发射取 k∥ = 0.008 nm⁻¹。

条件	评估项	Setfos	Dreapex TMM	绝对差
顶发射 · total	总耗散 / W·m⁻²·nm⁻¹	0.9502023	0.950202436	1.36e-07
顶发射 · s	总耗散 / W·m⁻²·nm⁻¹	0.005111674	0.00511167461	6.06e-10
顶发射 · p	总耗散 / W·m⁻²·nm⁻¹	0.9450907	0.945090761	6.09e-08
顶发射 · total	上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹	0	0	0
顶发射 · s	上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹	0	0	0
顶发射 · p	上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹	0	0	0
底发射 · total	总耗散 / W·m⁻²·nm⁻¹	2.27430728	2.27430754	2.61e-07
底发射 · total	上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹	2.13810824	2.13810849	2.45e-07
底发射 · total	下端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹	0.00038221789	0.000382217934	4.38e-11

图 45. 顶发射／u：Power Dissipation，620 nm

图 45. 顶发射／u：Power Dissipation，620 nm

图 46. 底发射／k∥：Power Dissipation，620 nm

图 46. 底发射／k∥：Power Dissipation，620 nm

发光位置分布

Dreapex TMM 与 Setfos 发光仿真：发光位置分布。

白谱与颜色评价

Dreapex TMM 与 Setfos 发光仿真：白谱与颜色评价。