Emission 验证

非相干膜层

Dreapex TMM 与 Setfos 发光仿真:非相干膜层。

发光仿真对标报告

2.1 非相干膜层

非相干案例覆盖单一玻璃基底、发光层两侧的非相干膜层,以及除发光层外所有有限膜层均为非相干的结构。案例 (f) 为案例 (c) 的透明性对照,仅将 ZnMgO 设置为 Transparent。

非相干性描述层内传播的相位关联,不意味着材料无吸收。本组同时覆盖吸收非相干层与透明非相干层。

案例配置
(a)仅 Glass1 非相干
(b)Glass1、TFB 非相干
(c)Glass1、ZnMgO 非相干
(d)Glass1、TFB、ZnMgO 非相干
(e)除 QD 外的所有有限膜层非相干
(f)案例 (c) 的 ZnMgO 设为 Transparent

Mode 比较采用单一顶部非相干玻璃基底,其余有限膜层相干;对应结果见第一章及双折射场景的 Mode 章节。

2.1.1 Spectrum

案例 (a)–(e) 在 560–680 nm、步长 1 nm,以及 0–89°、步长 1° 的完整网格上比较 total、s、p。全部通道的最大相对差均低于 1 ppm。图中展示 0° 光谱,差异表覆盖全部角度和波长。

案例total / ppms / ppmp / ppm
(a)0.6050190.6080150.602542
(b)0.6075760.6020030.589043
(c)0.6222520.6118690.708272
(d)0.6148050.6247690.662573
(e)0.6703430.6122780.815117

典型条件数值对照。λ = 626 nm,θ = 30°;案例编号与本节配置表一致。

条件评估项SetfosDreapex TMM绝对差
(a) · total光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.26080560.2608056383.75e-08
(b) · total光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.15290620.1529061973.08e-09
(c) · total光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.10399250.1039924881.22e-08
(d) · total光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.082127320.08212732767.56e-09
(e) · total光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.081042590.08104259949.39e-09
(e) · s光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.041250130.0412501398.98e-09
(e) · p光谱强度 / W·m⁻²·nm⁻¹·sr⁻¹0.039792460.03979246044.13e-10

图 11. 非相干膜层 (a), (b), (c) · Spectrum,发射角度 0°

图 12. 非相干膜层 (d), (e) · Spectrum,发射角度 0°

2.1.2 Power Dissipation

案例 (a)–(f) 比较总耗散、上端辐射、下端辐射的 total、s、p,共九个通道。波长为 560–680 nm、步长 10 nm;有效折射率 n_eff 为 0–4、步长 0.01。登记临界点之外的全部通道均为极小差异 < 1 ppm。图中采用 610 nm 切片。

案例 (c)、(d)、(e) 的下端辐射在本批吸收条件下为零;透明性对照 (f) 的对应输出为非零,两类结果均与参考一致。该差别针对所报告的辐射分量,并不意味着吸收情况下没有能量进入相邻材料。

案例评估项total / ppms / ppmp / ppm
(a)总耗散0.1146820.1146820.114682
(a)上端辐射0.1146820.1146820.114682
(a)下端辐射0.1146820.1146820.114682
(b)总耗散0.1146830.1146860.114683
(b)上端辐射0.1146840.1146840.114684
(b)下端辐射0.1146820.1146820.114682
(c)总耗散0.1146820.1146830.114682
(c)上端辐射0.1146820.1146820.114682
(c)下端辐射———
(d)总耗散0.1147020.1147060.114701
(d)上端辐射0.1146840.1146840.114684
(d)下端辐射———
(e)总耗散0.1147020.1147060.114701
(e)上端辐射0.1146840.1146840.114684
(e)下端辐射———
(f)总耗散0.1146820.1146830.114682
(f)上端辐射0.1146820.1146820.114682
(f)下端辐射0.1146820.1146820.114682

表中数值为最大相对差,单位 ppm;“—”表示参考全零,并已确认绝对差严格为零。

典型条件数值对照。λ = 610 nm,n_eff = 0.50;total 分量。

条件评估项SetfosDreapex TMM绝对差
(a)上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹0.3915613690.3915614144.49e-08
(a)下端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹8.58142959e-058.58143058e-059.84e-12
(c)上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹0.07227043140.07227043978.29e-09
(c)下端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹000
(e)上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹0.07945157410.07945158329.11e-09
(e)下端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹000
(f)上端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹0.07226583870.0722658478.29e-09
(f)下端辐射 / W·m⁻²·nm⁻¹0.1180776370.1180776511.35e-08

图 13. 非相干膜层 (a) · Power Dissipation,波长 610 nm

图 14. 非相干膜层 (b) · Power Dissipation,波长 610 nm

图 15. 非相干膜层 (c) · Power Dissipation,波长 610 nm

图 16. 非相干膜层 (d) · Power Dissipation,波长 610 nm

图 17. 非相干膜层 (e) · Power Dissipation,波长 610 nm

图 18. 非相干膜层 (f) · Power Dissipation,波长 610 nm

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