原理

功率耗散与光学模

面内波矢、耗散功率谱与出光及损耗通道的划分

一条发光功率曲线上的峰值只有放到正确的波矢区间里,才能判断它代表出光、波导还是金属近场损耗。发射角在全内反射以后不再是实数,面内波矢仍然可以连续描述这些状态。

功率耗散谱(power dissipation spectrum)给出偶极能量随面内波矢的分布;光学模把这条分布按物理边界积分成出光与损耗份额。二者是同一能量预算的“分布图”和“汇总表”。

平面器件中的能量通道

发光偶极产生的电磁能量可以向上或向下传播,也可以被层系困住、吸收或耦合到金属近场。

底发射器件中的空气、衬底、吸收、波导和表面等离激元通道
图 1|平面发光器件的主要光学通道。每条路径都来自同一个内部偶极源,但最终到达不同的外部介质或损耗机制。

射线图可以建立直觉,但波导峰、SPP 峰和吸收重叠需要在波矢空间中处理。平面界面具有平移对称性,因此波矢在界面内的分量穿过整个层系保持不变。

面内波矢的三种写法

对各向同性层,面内波矢满足

k=nik0sinθi=2πλneff,k_{\parallel}=n_i k_0\sin\theta_i =\frac{2\pi}{\lambda}n_{\mathrm{eff}},

并可用发光层折射率归一化:

neff=nisinθi,u=knek0=neffne.n_{\mathrm{eff}}=n_i\sin\theta_i, \qquad u=\frac{k_{\parallel}}{n_e k_0} =\frac{n_{\mathrm{eff}}}{n_e}.

式中,kk_{\parallel} 是面内波矢,k0=2π/λk_0=2\pi/\lambda 是真空波数,λ\lambda 是真空波长,nin_iθi\theta_i 是第 ii 层的折射率和传播角,nen_e 是发光层折射率,neffn_{\mathrm{eff}} 是有效折射率,uu 是归一化面内波矢。kk_{\parallel}neffn_{\mathrm{eff}}uu 只是同一横坐标的不同标度。

u1u\le1 时,发光层内存在真实传播角;当 u>1u>1 时,法向波矢成为虚数,对应沿界面传播、离开界面指数衰减的倏逝场。单轴双折射发光层需要分别用 ordinary 与 extraordinary 折射率归一化相应分量。

空气、衬底、波导与表面等离激元模式在频率和面内波矢空间中的分区
图 2|介质光线给出空气、衬底与发光层的传播边界;更高面内波矢处出现波导与倏逝模式。

从耗散功率谱到模式份额

固定波长和偶极条件下,功率耗散谱记为 K(k)K(k_{\parallel})。曲线中的窄峰通常对应导模或 SPP 共振;宽背景包含传播波与材料吸收。对指定区间积分即可得到该通道的原始功率,全部电磁区间的积分给出归一化耗散功率,也就是 Purcell 因子:

F=0K(k)dk.F=\int_0^\infty K(k_{\parallel})\,\mathrm dk_{\parallel}.

式中,FF 是相对均匀参考环境的归一化耗散功率;KK 的归一化包含相应的参考功率和变量尺度。实际数值积分会跨过尖锐导模峰,并把倏逝尾积分到贡献收敛。

各介质的光线边界定义为

kt=ntk0,kb=nbk0,ks=nsk0,ke=nek0,k_t=n_tk_0,\qquad k_b=n_bk_0,\qquad k_s=n_sk_0,\qquad k_e=n_ek_0,

其中,下标 ttbbssee 分别表示顶部外部介质、底部外部介质、顶部有限厚非相干衬底和发光层。实际存在的传播通道中,最大的光线边界为

kesc=max(kt,kb,ks).k_{\mathrm{esc}}=\max(k_t,k_b,k_s).

不存在的底部出光或衬底通道不参与取最大值。

模式方向与积分范围物理含义
TOC顶部方向,0kkt0\le k_{\parallel}\le k_t进入顶部外部介质的出光
BOC底部方向,0kkb0\le k_{\parallel}\le k_b进入透明底部外部介质的出光
SUB顶部方向,kt<kksk_t<k_{\parallel}\le k_s进入衬底但无法越过衬底—外部介质界面的光
ABS可传播区中的吸收剩余量光到达出光边界前被金属或有损层吸收
WVGkesc<kkek_{\mathrm{esc}}<k_{\parallel}\le k_e被全内反射和横向共振限制在薄膜中的导波功率
EVAk>kek_{\parallel}>k_e倏逝耦合,通常包含金属界面的 SPP 与近场损耗
NRA不对应波矢区间激子形成后未进入电磁通道的非辐射份额

TOC 与 BOC 可以占用相同的 kk_{\parallel} 数值区间,因为它们属于相反传播方向。ABS 也不是独立的高波矢带,而是传播区总功率扣除已经越过外部边界的功率:

MABS=DpropMTOCMSUBMBOC,M_{\mathrm{ABS}}=D_{\mathrm{prop}} -M_{\mathrm{TOC}}-M_{\mathrm{SUB}}-M_{\mathrm{BOC}},

其中,DpropD_{\mathrm{prop}} 是顶部与底部方向在传播区内的总功率份额,McM_c 表示模式 cc 的归一化份额。结构中不存在的通道取零。

模式份额与器件效率

对单个发光体,六个电磁通道与激子非辐射通道满足

c{TOC,BOC,SUB,ABS,WVG,EVA}Mc=qeff,MNRA=1qeff,\sum_{c\in\{\mathrm{TOC,BOC,SUB,ABS,WVG,EVA}\}}M_c =q_{\mathrm{eff}}, \qquad M_{\mathrm{NRA}}=1-q_{\mathrm{eff}},

因此

cMc+MNRA=1.\sum_c M_c+M_{\mathrm{NRA}}=1.

式中,qeffq_{\mathrm{eff}} 是有效量子效率,MNRAM_{\mathrm{NRA}} 是激子形成后的非辐射份额。若顶部外部介质为空气,顶部条件出光效率为

ηout,top=MTOCqeff,\eta_{\mathrm{out,top}}=\frac{M_{\mathrm{TOC}}}{q_{\mathrm{eff}}},

器件顶部 EQE 为

ηEQE,top=CMTOC=Cqeffηout,top.\eta_{\mathrm{EQE,top}}=C\,M_{\mathrm{TOC}} =Cq_{\mathrm{eff}}\eta_{\mathrm{out,top}}.

这里的 CC 是电荷形成发光激子的转换效率。损失 1C1-C 发生在激子形成之前,不属于 Mode 的 NRA;NRA 只表示已经形成的激子发生材料非辐射衰减。

光子占比与功率占比

光子数谱与辐射功率谱通过单光子能量联系:

ΛP(λ)=ΛN(λ)hcλ.\Lambda_P(\lambda)=\Lambda_N(\lambda)\frac{hc}{\lambda}.

式中,ΛN\Lambda_N 是每单位波长的光子数权重,ΛP\Lambda_P 是辐射功率权重,hh 是普朗克常数,cc 是真空光速。LEE 与 EQE 按光子数定义,因此跨波长的 Mode 平均使用 ΛN\Lambda_N;功率耗散、强度与颜色从能量谱计算,使用 ΛP\Lambda_P。同一物理发光谱无论以光子数还是功率输入,经过正确换算后应得到相同结论。

模式划分条件

顶部传播方向含有限厚非相干衬底时,模式边界要求 nt<ns<nen_t<n_s<n_e;没有该衬底时要求 nt<nen_t<n_e。透明底部出光边界独立要求 nb<nen_b<n_e。发光层必须相干且透明。折射率顺序不满足时,传播区、波导区和倏逝区无法按上述边界解释。

标准模式分解允许出光侧有一个有限厚非相干衬底。更复杂的多层非相干外部光路仍可计算最终光谱,但不能继续沿用这组简化模式区间。模式结果应与功率耗散图一起阅读:份额说明损失有多少,耗散谱说明损失出现在哪些波长和波矢位置。

下一步

继续阅读Purcell 效应,了解全部电磁通道的积分为何还会改变发光体寿命和有效量子效率。

参考

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  2. Wasey, J. A. E.; Barnes, W. L. Efficiency of Spontaneous Emission from Planar Microcavities. J. Mod. Opt. 2000, 47, 725–741.
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  4. Meerheim, R.; Furno, M.; Hofmann, S.; Lüssem, B.; Leo, K. Quantification of Energy Loss Mechanisms in Organic Light-Emitting Diodes. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 275.
  5. Chance, R. R.; Prock, A.; Silbey, R. Comments on the Classical Theory of Energy Transfer. J. Chem. Phys. 1975, 62, 2245–2253.
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