原理

偶极子模型和适用条件

平面发光器件的点偶极子、分子取向、空间分布与模型边界

OLED 发光层里没有一盏盏朝各方向均匀发光的小灯。每个跃迁偶极都有自己的轴向,沿偶极轴没有远场辐射,垂直于偶极轴的方向最强。

平面发光仿真把分子、量子点或钙钛矿发光中心等效为振荡电偶极子,再按取向、位置和空间分布组合成发光层。本篇定义这个源模型,并列出它能够代表真实器件的条件。

点偶极子的辐射方向

当发光中心的空间尺度远小于波长时,其最低阶辐射可用电偶极矩 p\mathbf p 表示。自由空间中,单位立体角内的远场功率满足

1PdPdΩ=38πsin2α,\frac{1}{P}\frac{\mathrm dP}{\mathrm d\Omega} =\frac{3}{8\pi}\sin^2\alpha,

其中,PP 是偶极子的总辐射功率,dP/dΩ\mathrm dP/\mathrm d\Omega 是单位立体角内的功率,Ω\Omega 是立体角,α\alpha 是观察方向与偶极轴之间的夹角。α=0\alpha=0 时辐射为零,α=90\alpha=90^\circ 时最强。

振荡电偶极子的电磁场和辐射方向动画
图 1|振荡电偶极子的辐射并非各方向相同:偶极轴方向没有远场辐射,垂直于偶极轴的方向最强。Loodog / Wikimedia CommonsCC BY-SA 3.0
水平偶极子与竖直偶极子的远场辐射方向图及逃逸锥
图 2|水平偶极子把较多功率送往器件法线方向;竖直偶极子的功率主要分布在大角度。红色虚线表示一个示意逃逸锥。

在平面器件中,“水平”表示偶极矩平行于膜层界面,“竖直”表示偶极矩沿膜层法线。水平偶极在法线附近有较强辐射,更容易进入逃逸锥。对每个传播方向,波矢与膜层法线构成入射面:TE 分量的电场垂直于该平面,TM 分量的电场位于该平面内。竖直偶极在法线方向没有远场辐射,并且只产生 TM 分量,因此更容易耦合到大角度波导态和表面等离激元(SPP)——一种束缚在金属—介质界面的 TM 模式。

几何逃逸锥近似

图 2 的逃逸锥可以给出一个只考虑传播方向的效率近似。发光层折射率为 nEMLn_{\mathrm{EML}}、外部介质折射率为 noutn_{\mathrm{out}} 时,临界角为

θc=arcsin(noutnEML).\theta_c=\arcsin\left(\frac{n_{\mathrm{out}}}{n_{\mathrm{EML}}}\right).

式中,θc\theta_c 相对膜层法线测量,并要求 nEML>noutn_{\mathrm{EML}}>n_{\mathrm{out}}。用 θ\theta 表示辐射方向与膜层法线的夹角,并对方位角积分后,水平与竖直偶极的归一化角功率分布分别为

gh(θ)=38(1+cos2θ)sinθ,gv(θ)=34sin3θ.g_h(\theta)=\frac{3}{8}\left(1+\cos^2\theta\right)\sin\theta, \qquad g_v(\theta)=\frac{3}{4}\sin^3\theta.

其中,gh(θ)dθg_h(\theta)\,\mathrm d\thetagv(θ)dθg_v(\theta)\,\mathrm d\theta 分别表示水平或竖直偶极辐射到 θ\thetaθ+dθ\theta+\mathrm d\theta 角区间的总功率比例,并且在 0θπ0\le\theta\le\pi 上的积分均为 1。积分到器件上方的单侧逃逸锥,可得

fh+=0θcgh(θ)dθ=18(4cos3θc3cosθc),f_h^{+} =\int_0^{\theta_c}g_h(\theta)\,\mathrm d\theta =\frac{1}{8}\left(4-\cos^3\theta_c-3\cos\theta_c\right),fv+=0θcgv(θ)dθ=14(2+cos3θc3cosθc).f_v^{+} =\int_0^{\theta_c}g_v(\theta)\,\mathrm d\theta =\frac{1}{4}\left(2+\cos^3\theta_c-3\cos\theta_c\right).

fh+f_h^{+}fv+f_v^{+} 是总辐射功率中直接进入上方逃逸锥的比例。图 3 进一步假设器件背面是无相位损失、无吸收的理想反射镜,向下辐射的同一份功率全部转向上方,因此几何出光效率为

ηhgeo=14(4cos3θc3cosθc),\eta_h^{\mathrm{geo}} =\frac{1}{4}\left(4-\cos^3\theta_c-3\cos\theta_c\right),ηvgeo=12(2+cos3θc3cosθc).\eta_v^{\mathrm{geo}} =\frac{1}{2}\left(2+\cos^3\theta_c-3\cos\theta_c\right).

其中,ηhgeo=2fh+\eta_h^{\mathrm{geo}}=2f_h^{+}ηvgeo=2fv+\eta_v^{\mathrm{geo}}=2f_v^{+} 分别是该几何模型给出的水平与竖直偶极出光效率(Light Extraction Efficiency, LEE);上标 geo\mathrm{geo} 表示几何近似。没有理想背反射镜时,上述结果各减半。各向同性取向含 2/32/3 水平自由度和 1/31/3 竖直自由度,因此

ηisogeo=23ηhgeo+13ηvgeo.\eta_{\mathrm{iso}}^{\mathrm{geo}} =\frac{2}{3}\eta_h^{\mathrm{geo}} +\frac{1}{3}\eta_v^{\mathrm{geo}}.

把前两式代入后,各向同性结果可化简为

ηisogeo=1cosθc=11(noutnEML)2.\eta_{\mathrm{iso}}^{\mathrm{geo}} =1-\cos\theta_c =1-\sqrt{1-\left(\frac{n_{\mathrm{out}}}{n_{\mathrm{EML}}}\right)^2}.

nout/nEMLn_{\mathrm{out}}/n_{\mathrm{EML}} 较小时,对根式作一阶展开可得

η1/(2n2)geo12(noutnEML)2.\eta_{1/(2n^2)}^{\mathrm{geo}} \approx\frac{1}{2}\left(\frac{n_{\mathrm{out}}}{n_{\mathrm{EML}}}\right)^2.

外部介质为空气时 nout1n_{\mathrm{out}}\approx1,即得到图中的蓝色实线 1/(2nEML2)1/(2n_{\mathrm{EML}}^2)。它是各向同性几何结果的近似,并非另一套发光定律。当 nEML=1.57n_{\mathrm{EML}}=1.57 时,水平、竖直、各向同性精确结果和 1/(2n2)1/(2n^2) 近似分别约为 30.7%30.7\%7.3%7.3\%22.9%22.9\%20.3%20.3\%。取向曲线之间的差异来自偶极方向图;共同的下降趋势来自折射率升高后逃逸锥缩小。

几何逃逸锥模型中水平、竖直和各向同性偶极子的出光效率随发光层折射率变化
图 3|把均匀介质中的偶极方向图积分到逃逸锥得到的几何近似。曲线用于解释取向与折射率趋势,不是实际 OLED 的定量模型。

OLED 的波动光学模型

实际 OLED 同时打破了上述几何模型的假设:膜层厚度与波长同量级,反射带有波长相关的振幅和相位;电极及功能层会吸收;逃逸锥外存在波导与 SPP;反射场还会返回偶极位置并改变总电磁衰减速率,即 Purcell 效应。

Dreapex TMM 将取向为 oo 的偶极场分解到归一化面内波矢 uu,并在完整层系中计算每个分量的复振幅。若功率以均匀参考环境中的总辐射功率归一化,总电磁耗散和目标出光效率分别写成

Fo(λ,z)=0Ko,tot(u;λ,z)du,F_o(\lambda,z) =\int_0^\infty K_{o,\mathrm{tot}}(u;\lambda,z)\,\mathrm du,ηout,o(λ,z)=UoutKo,out(u;λ,z)duFo(λ,z).\eta_{\mathrm{out},o}(\lambda,z) =\frac{\displaystyle\int_{\mathcal U_{\mathrm{out}}} K_{o,\mathrm{out}}(u;\lambda,z)\,\mathrm du} {F_o(\lambda,z)}.

式中,o{h,v}o\in\{h,v\} 表示水平或竖直取向;λ\lambda 是真空波长;zz 是偶极在发光层中的位置;u=k/(nEMLk0)u=k_{\parallel}/(n_{\mathrm{EML}}k_0),其中 kk_{\parallel} 是面内波矢,k0=2π/λk_0=2\pi/\lambda 是真空波数;Ko,totK_{o,\mathrm{tot}} 是单位 uu 区间内的归一化总耗散功率,Ko,outK_{o,\mathrm{out}} 是经过完整层系透射并越过目标外部边界的功率密度;FoF_o 是该取向的 Purcell 因子,即总电磁衰减相对均匀参考环境的变化;Uout\mathcal U_{\mathrm{out}} 是目标外部介质光锥对应的积分区间;ηout,o\eta_{\mathrm{out},o} 是已进入电磁通道的功率中真正越过目标外部边界的比例。

两种功率密度都由同一个层状偶极场得到,其中包含微腔干涉、界面的 Fresnel 反射与透射、材料吸收、波导和 SPP。FoF_o 也不再固定为 1,说明层状环境不仅重新分配能量,还会改变偶极的总衰减速率。因此,图 3 的曲线缺少 λ\lambdazz、膜厚、复折射率和反射相位,不能用于 OLED 的定量建模。

图 3 只用于建立“水平取向通常更利于出光”的第一层直觉。OLED 的 LEE、光学模与 Purcell 因子应以完整层状偶极模型的波矢积分结果为准。

取向分布

各向同性取向包含两个彼此正交的水平自由度和一个竖直自由度,因此其功率密度为

Kiso=23Kh+13Kv.K_{\mathrm{iso}}=\frac{2}{3}K_h+\frac{1}{3}K_v.

式中,KisoK_{\mathrm{iso}} 是各向同性偶极集合的功率密度,KhK_h 是水平偶极的平均功率密度,KvK_v 是竖直偶极的功率密度。权重 2/32/31/31/3 来自三维取向自由度,不表示每个分子同时具有三根偶极轴。

用竖直偶极占比 aa 表示任意单轴取向分布时,

K(a)=(1a)Kh+aKv,0a1.K(a)=(1-a)K_h+aK_v,\qquad 0\le a\le1.

其中,K(a)K(a) 是该取向集合的功率密度;a=0a=0 为全水平,a=1a=1 为全竖直,a=1/3a=1/3 与各向同性取向等价。OLED 中常说的“水平偶极比例”是 1a1-a。分子形状、基底温度和沉积动力学都可能改变这一比例。

发光位置与空间分布

同一取向的偶极子放在发光层不同深度,也会看到不同的反射相位和近场环境。单点位置适合窄复合区;较宽的复合区需要用归一化分布 ρ(z)\rho(z) 表示:

z1z2ρ(z)dz=1,X=z1z2ρ(z)X(z)dz.\int_{z_1}^{z_2}\rho(z)\,\mathrm dz=1, \qquad \langle X\rangle=\int_{z_1}^{z_2}\rho(z)X(z)\,\mathrm dz.

式中,z1z_1z2z_2 是发光层上下边界,ρ(z)\rho(z) 是偶极子在厚度方向上的概率密度,X(z)X(z) 是位置 zz 处的目标通道功率、FoF_o 或其他单偶极结果,X\langle X\rangle 是空间平均结果。单点、指数、高斯和自定义文件只是 ρ(z)\rho(z) 的不同表达。

靠近反射镜会改变干涉相位,靠近金属还会显著增强倏逝耦合。因此“发光层厚度”不足以完全定义发光源,复合区在层内的位置同样重要。

模型适用条件

条件模型中的含义条件不满足时的后果
发光中心可视为点偶极子发光中心尺寸及电荷分离尺度远小于波长需要更高阶多极矩或非局域源模型
膜层横向均匀且远大于波长折射率只随厚度方向变化,边缘不参与求解像素边缘、图形化电极与散射结构需要二维或三维模型
界面平整且层间过渡清晰每个面内波矢在全栈守恒粗糙散射会把不同面内波矢混合
发光层相干且透明发光层的消光系数为零,不计算自身重吸收发射—吸收谱重叠明显时会低估重吸收与再发射
材料线性、无光学增益且近似非磁使用与场强无关的复折射率,磁导率取 1强激光、增益介质或磁光材料需要扩展模型
各向异性为法线方向光轴的单轴材料面内保持旋转对称,可分别处理普通光与非普通光响应倾斜光轴、面内取向或双轴材料超出该模型
出光侧外部介质透明外部光锥和顶部出光通道具有明确物理意义吸收性外边界不能定义为出光通道

有限厚金属和其他吸收层可以位于器件内部,能量会被计入吸收或倏逝通道。底部外部介质透明时可以形成底部出光通道;底部边界吸收时,该通道为零。

点偶极子模型描述发光中心与层状电磁环境的耦合,不包含分子间 Förster 转移、激子扩散、三重态—三重态湮灭、极化子猝灭或发光层重吸收。这些过程显著时,应先由电学或激子模型给出实际复合分布和本征量子效率;本征量子效率是均匀参考环境中,激子进入电磁衰减通道的比例。随后再进行光学计算。

下一步

继续阅读微腔效应,了解反射界面如何把同一偶极源改造成不同的光谱、颜色和角分布。

参考

  1. Novotny, L.; Hecht, B. Principles of Nano-Optics. Cambridge University Press, 2012.
  2. Griffiths, D. J. Introduction to Electrodynamics, 4th ed.; 2021.
  3. Marcato, T.; Shih, C. J. Molecular Orientation Effects in Organic Light-Emitting Diodes. Helv. Chim. Acta 2019, 102. https://doi.org/10.1002/hlca.201900048
  4. Wasey, J. A. E.; Barnes, W. L. Efficiency of Spontaneous Emission from Planar Microcavities. J. Mod. Opt. 2000, 47, 725–741.
  5. Yokoyama, D. Molecular Orientation in Small-Molecule Organic Light-Emitting Diodes. J. Mater. Chem. 2011, 21, 19187–19202.
  6. Chance, R. R.; Prock, A.; Silbey, R. Molecular Fluorescence and Energy Transfer near Interfaces. Adv. Chem. Phys. 1978, 37, 1–65.
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